长鑫科技批量造富:8名高管身家过亿,千亿、百亿级股东浮现
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作者 | 第一财经 郑栩彤
7月15日下午,科技存储芯片厂商长鑫科技召开网上投资者交流会。批量公司董事长朱一明阐述了公司登陆资本市场后的造富战略规划,副总裁兼董事会秘书袁园则解读了股权激励初衷,名高并披露了具体的管身股东分红政策。

朱一明指出,家过长鑫科技坚持高强度研发投入,亿千亿百亿级采取“跳代”研发策略,浮现已成功完成从第一代至第四代工艺平台的长鑫量产,实现了DDR5(计算机内存规格)、科技LPDDR5/5X(低功耗内存)等产品的批量全面覆盖与迭代。他强调,造富上市不仅是名高新的起点,更意味着新的管身股东责任。
“我们旨在通过募集资金投资项目,进一步提升技术研发能力与产业化水平,增强对市场需求的响应保障能力。同时,发挥龙头企业的带动作用,促进产业链协同发展。”朱一明表示。
在核心竞争力方面,朱一明透露,公司主要核心技术已达到国际先进水平。业务布局上,公司立足国内市场并逐步拓展海外,市场策略上正加速提升在中高端应用市场的占有率。
针对产线改造,朱一明详细说明了存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目。该项目将在子公司实施技术改造,实现向中高端产品生产线工艺技术的切换,完成DRAM(动态随机存取存储器)生产线的升级,从而降低生产成本,并同步推进本土及新型设备、材料、零部件的导入与合作。
面对行业周期性波动,朱一明表示,公司将通过技术迭代、产能优化和成本管控来增强抗周期能力,但投资者仍需警惕行业波动风险。关于海外大厂扩产导致的供给过剩担忧,他指出,长鑫科技的产能规模远低于国内庞大的市场需求。随着上市募投项目的推进,公司将加速工艺升级,以实现更低的单位成本、更强的市场竞争力及盈利能力。
此外,朱一明提醒,当前人工智能产业正处于基础设施集中投资期,商业化应用仍在拓展中。若未来AI规模化应用落地不及预期,或头部云厂商资本开支放缓,可能对DRAM市场未来的需求增长产生不利影响。
在产品规划方面,袁园表示,消费电子是DRAM的传统基本盘,预计2026年及之后,该领域对DRAM的需求将保持稳健增长。随着全球算力需求浪潮的推动,公司后续有望持续受益,盈利能力将进一步改善。
朱一明补充道,目前公司应用于人工智能算力服务器的DRAM产品收入占比较低,但来自相关领域的产品收入及占比有望持续上升。
针对投资者普遍关注的HBM(高带宽内存)进展,朱一明未做正面回应,仅表示相关信息请参考招股书及公司后续公告。
关于员工激励,袁园回应称,为激发员工的科技创新与创业热情,朱一明自愿将其持有的合肥集鑫肆拾壹号企业管理合伙企业50%的合伙份额(对应公司当前股本767,920,918股)未来分配给员工用于激励。该激励计划的实施不会新增发行公司股份,也不会稀释上市后新老股东的权益。
在股东回报方面,袁园表示,公司已制定完整的三年分红回报规划。在符合分红条件的前提下,公司原则上每年进行一次现金分红。
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