华尔街集体看多：ASML产能激增，内存“见顶论”可以休矣！

ASML交出了一份远超预期的见顶论二季度财报，不仅大幅上调全年指引，街集更罕见地披露了2027至2028年的产存产能扩张路线图。这一举动直接击碎了市场对AI驱动需求可持续性的增内疑虑。高盛、见顶论摩根大通、街集巴克莱等华尔街主流投行随即集体发声，产存一致维持或重申买入评级。增内机构普遍认为，见顶论此次业绩不仅验证了AI供应瓶颈的街集长期性，更对“内存价格将于2028年见顶”的产存看空叙事构成了有力反驳。

一、增内 业绩全面超预期，见顶论全年指引大幅上修

ASML二季度营收达到93亿欧元，街集显著超越彭博市场共识的产存89亿欧元。其毛利率高达54%，远超此前给出的51%-52%指引区间。基于强劲表现，公司随即调整2026年全年指引：
* 营收指引：从360亿-400亿欧元上调至430亿-450亿欧元，中位数较市场共识高出约11%。
* 毛利率指引：上调至54%-56%。

更为关键的是，管理层明确表态将在2027年和2028年分别扩大约30%的低数值孔径（Low-NA）EUV及浸没式DUV产能。这一前瞻性的产能规划直接触发市场对2028年盈利预期的大幅上修。

市场反应：
* ASML股价：阿姆斯特丹股价上涨约4%。
* 大盘联动：纳斯达克100指数期货同步上涨约40个基点。
* 板块共振：SK海力士首尔上市股票单日飙升8.8%，补涨此前其美国存托凭证（ADR）27%的涨幅。

投行评级与目标价：
* 高盛：维持买入评级，12个月目标价2000欧元，隐含约29%上行空间。
* 摩根大通：维持增持评级，目标价1900欧元。

二、 核心财务指标与三季度指引：惊喜连连

据高盛研报数据，ASML二季度各项核心指标均大幅跑赢预期：
* 营收：93.27亿欧元，超出市场共识6%。
* 息税前利润（EBIT）：34.56亿欧元，超出共识13%。
* 每股收益（EPS）：7.58欧元，超出共识约11%。
* 毛利率：54%，不仅远超指引上限，亦较市场共识高出约230个基点。

三季度指引同样令人瞩目：
* 营收预期：110亿-120亿欧元，中位数较市场共识高约11%。
* 毛利率预期：55%-57%，意味着三季度EBIT将较市场共识高出约26%。
* 摩根大通测算：三季度营收中位数115亿欧元较共识高12%，毛利率中位数56%较共识高350个基点。

增长动力解析：
摩根大通分析师Sandeep Deshpande指出，超预期部分得益于已安装基础管理（IBM）业务的强劲表现。该业务收入较预期高出约3亿欧元，得益于软件主导的生产力升级及EUV服务安装基础的持续扩大，预计该业务今年将实现逾30%的增长，为整体毛利率提供额外支撑。

三、 产能扩张路线图：重估2028年盈利潜力

此次业绩最受关注的亮点，是管理层对2027-2028年产能扩张的明确量化表态，这直接超出了买方机构的预期。

具体扩产计划：
* Low-NA EUV：在2026年约65台的基础上，2027年扩产约30%至约85台；2028年再扩产30%至约110台。
* 浸没式DUV：从2026年约130台扩至2027年约169台，2028年进一步扩至约220台。

机构测算与对比：
* 高盛测算：上述规划意味着2027/2028年Low-NA EUV出货量将达85/110台，远超市场共识的85/89台；浸没式DUV出货量将达169/220台，大幅超出共识的137/146台。
* 摩根大通观点：2028年产能指引已超出该行此前作为卖方最高预测的水平。粗略测算显示，若规划落地，ASML 2028年EPS将超过65欧元，叠加IBM业务强劲势头，实际盈利可能更高。
* 高盛交易台评论：2028年约110台的EUV产能目标已落入“超级乐观区间”（110-120台），远超卖方约89台的共识预期。

订单情况：
高盛表示，ASML已基本锁定2027年所需的大部分EUV订单，并收到相当数量的2028年订单。管理层将订单接收情况描述为“极为强劲”。

四、 AI需求加速：逻辑与内存双线爆发

管理层明确指出，AI驱动的需求在逻辑芯片和内存两大领域持续强化，支撑客户在先进制程节点进一步扩产。

1. 先进逻辑芯片：激进推进2nm及1.4nm

• 节点进展：客户正同步在5/4/3纳米节点增加产能以满足AI需求，并尽可能激进地推进2纳米量产，同时开始为1.4纳米制程过渡做准备。
• 营收预期：预计2026年先进逻辑营收同比增长约25%。

2. 内存市场：HBM与先进DRAM驱动范式转变

• 供应状况：DDR和HBM供应偏紧推动客户加速投资，EUV及先进浸没式光刻强度的提升进一步拉动设备需求。
• 营收预期：预计2026年内存营收同比增长约75%。

高盛深度分析：
随着内存市场向HBM4/HBM5及传统服务器DRAM所需的先进1c/1d纳米节点过渡，内存制造正经历根本性的范式转变：
* 1c DRAM：EUV层数已增至五层以上。
* 1d和0a代：计划在所有层中全面采用EUV技术。
* 物理极限：深紫外光多次图形化工艺已触及物理极限，ASML因此成为这一结构性转型的主要受益者。

高盛进一步指出，HBM所需的晶圆强度远高于传统DRAM，这种双重扩张正严重挤压全球晶圆厂产能，推动内存价格在更长时间内保持高位。鉴于向先进节点过渡的结构性复杂性，那些预测内存价格将在2028年前见顶或供应缺口将显著缓解的看空论点“听起来为时过早”。

五、 华尔街集体背书：分歧仅在于节奏

多家主要投行在业绩发布后迅速发表正面评价，尽管对2027年EUV产能指引的解读存在细微分歧，但整体情绪乐观。

• 巴克莱（Simon Coles）：认为ASML给出了投资者期待的大部分利好。2027和2028年Low-NA EUV产能指引应能减少市场关于供应约束的争议。上半年Low-NA EUV订单金额可能高达220亿欧元，创历史新高。
• 摩根大通（Sandeep Deshpande）：认为2027年未达到90台EUV产能“无关紧要”。因为2028年EUV及DUV产能指引远超预期，且2026年营收增速约35%已超出行业整体预期，公司实际上已在引导未来两年约30%的增长。
• 摩根士丹利（Lee Simpson）：指出尽管不再披露订单数据，但管理层表示上半年订单接收持续“非常强劲”，客户加速扩产预示着2027年销售势头强劲。
• Jefferies（Janardan Menon）：持相对审慎立场。认为展望喜忧参半，IBM业务销售额及毛利率增长积极，但2027年EUV指引低于近期大幅攀升的市场预期。
• Oddo BHF：预计市场共识盈利预测将上调约20%，称“ASML仍是无可匹敌的技术主导地位的故事，现在受益于AI驱动的根本不同的周期”。

(责任编辑：探索)